Fabrication and characteristics of magnetic field sensors based on nano-polysilicon thin-film transistors
A magnetic field sensor based on nano-polysilicon thin films transistors (TFTs) with Hall probes is proposed. The magnetic field sensors are fabricated on (100) orientation high resistivity (p 〉 500 Ω.cm) silicon substrates by using CMOS technology, which adopt nano-polysilicon thin films with thick...
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Veröffentlicht in: | Journal of semiconductors 2013-03, Vol.34 (3), p.127-132 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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