Design of High-Aspect-Ratio T-Gates on N-Polar GaN/AlGaN MIS-HEMTs for High f max

This letter discusses the design of high-aspect-ratio T-gates on molecular beam epitaxy (MBE)-grown nitrogen-polar (N-polar) GaN/AlGaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors (MIS-HEMTs) for high power-gain cutoff frequency ( f max ) . A 351-GHz f max is demonstrated, which...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2012-06, Vol.33 (6), p.785-787
Hauptverfasser:	Denninghoff, Daniel J, Dasgupta, Sansaptak, Lu, Jing, Keller, Stacia, Mishra, Umesh K
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Aluminum gallium nitrides Contact resistance Devices Gallium nitrides Gates High electron mobility transistors Molecular beam epitaxy Semiconductor devices
Online-Zugang:	Volltext
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