Field-effect transistors and intrinsic mobility in ultra-thin MoSe2 layers

We report the fabrication of back-gated field-effect transistors (FETs) using ultra-thin, mechanically exfoliated MoSe2 flakes. The MoSe2 FETs are n-type and possess a high gate modulation, with On/Off ratios larger than 106. The devices show asymmetric characteristics upon swapping the source and d...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2012-11, Vol.101 (22)
Hauptverfasser:	Larentis, Stefano, Fallahazad, Babak, Tutuc, Emanuel
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Asymmetry Contact Devices Drains Gates Modulation Semiconductor devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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