Tensile-strained growth on low-index GaAs

We present a comparative study of the growth of tensile-strained GaP on the four low-index surfaces of GaAs: (001), (110), (111)A, and (111)B. For each surface orientation we outline the growth conditions required for smooth GaAs homoepitaxy. We are able to predict the resulting surface morphology w...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2012-09, Vol.112 (5)
Hauptverfasser:	Simmonds, Paul J., Larry Lee, Minjoo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Deposition Gallium arsenide Gallium arsenides Nanocomposites Nanomaterials Nanostructure Self assembly Strain
Online-Zugang:	Volltext
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