Characterization of dark current in Ge-on-Si photodiodes

Ge-on-Si photodiodes were fabricated from germanium films grown using low-pressure chemical vapor deposition. The mechanisms responsible for the dark current in these devices are studied using geometric analysis, temperature-dependent current-voltage characterization, deep level transient spectrosco...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2012-09, Vol.112 (5)
Hauptverfasser:	DiLello, N. A., Johnstone, D. K., Hoyt, J. L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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