Distribution of barrier heights in Au/porous GaAs Schottky diodes from current–voltage–temperature measurements
In this work, we have studied the electrical characteristics of the Au/porous GaAs/p-GaAs diodes as a function of temperature. The ( I–V) –T characteristics are analysed on the basis of thermionic emission (TE). The temperature behaviour of the barrier height potential and the ideality factor demons...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Physica. B, Condensed matter Condensed matter, 2010-09, Vol.405 (17), p.3745-3750 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!