Single-photon emission from electrically driven InP quantum dots epitaxially grown on CMOS-compatible Si(001)

The heteroepitaxy of III-V semiconductors on silicon is a promising approach for making silicon a photonic platform. Mismatches in material properties, however, present a major challenge, leading to high defect densities in the epitaxial layers and adversely affecting radiative recombination process...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Nanotechnology 2012-08, Vol.23 (33), p.335201-1-6
Hauptverfasser:	Wiesner, M, Schulz, W-M, Kessler, C, Reischle, M, Metzner, S, Bertram, F, Christen, J, Roßbach, R, Jetter, M, Michler, P
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Density Emission Epitaxial layers Indium phosphides Nanostructure Quantum dots Semiconductors Silicon
Online-Zugang:	Volltext
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