Tunable metal–insulator transition in double-layer graphene heterostructures

Disorder-induced Anderson localization usually causes conducting materials to become insulating at low temperature. Graphene is a notable exception. But by increasing the carrier density in one graphene layer, a metal–insulator transition can be induced in an isolated second layer stacked above it....

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Nature physics 2011-12, Vol.7 (12), p.958-961
Hauptverfasser: Ponomarenko, L. A., Geim, A. K., Zhukov, A. A., Jalil, R., Morozov, S. V., Novoselov, K. S., Grigorieva, I. V., Hill, E. H., Cheianov, V. V., Fal’ko, V. I., Watanabe, K., Taniguchi, T., Gorbachev, R. V.
Format: Artikel
Sprache:eng
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