SiGe pMODFETs on silicon-on-sapphire substrates with 116 GHz fmax

The dc and microwave results of Si/sub 0.2/Ge/sub 0.8//Si/sub 0.7/Ge/sub 0.3/ pMODFETs grown on silicon-on-sapphire (SOS) substrates by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition are reported. Devices with L/sub g/=0.1 μm displayed high transconductance (377 mS/mm), low output conductance (25 mS/mm)...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2001-02, Vol.22 (2), p.92-94
Hauptverfasser:	Koester, S.J., Hammond, R., Chu, J.O., Mooney, P.M., Ott, J.A., Perraud, L., Jenkins, K.A., Webster, C.S., Lagnado, I., de la Houssaye, P.R.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Chemical vapor deposition Epitaxial layers Germanium silicon alloys HEMTs Microwave devices MODFETs Noise figure Silicon germanium Silicon on insulator technology Substrates
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