Effects of deuterium anneal on MOSFETs with HfO2 gate dielectrics

The effects of high-temperature (600/spl deg/C) anneal in a dilute deuterium (N/sub 2/ : D/sub 2/= 96 : 4) atmosphere was first investigated and evaluated in comparison to high-temperature forming gas (N/sub 2/ : H/sub 2/= 96 : 4) anneal (600/spl deg/C) and nonanneal samples. The high-temperature de...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2003-03, Vol.24 (3), p.144-146
Hauptverfasser:	Rino Choi, Onishi, K., Chang Seok Kang, Hag-Ju Cho, Kim, Y.H., Krishnan, S., Akbar, M.S., Lee, J.C.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Annealing Atmosphere Capacitance-voltage characteristics Deuterium Dielectrics Hafnium oxide MOSFETs Stability Stress Threshold voltage
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!