A novel low-voltage N-channel heterostructure dynamic threshold voltage MOSFET (N-HDTMOS) with p-type doped SiGe body

A novel N-channel Si/SiGe heterostructure dynamic threshold voltage MOSFET (N-HDTMOS) has been proposed and fabricated. The Si/SiGe N-HDTMOS consists of an unstrained surface Si channel and heavily p-type doped SiGe body. The potential of the conduction band edge of the surface Si channel can be low...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2004-01, Vol.25 (1), p.28-30
Hauptverfasser:	Kawashima, T., Hara, Y., Kanzawa, Y., Sorada, H., Inoue, A., Asai, A., Takagi, T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Body regions Channels Doping Dynamics Germanium silicon alloys Heterostructures Large-scale systems Low voltage MOSFET circuits MOSFETs Power MOSFET Power supplies Reduction Silicon Silicon germanides Silicon germanium Threshold voltage
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