NIEL Scaling: Comparison With Measured Defect Introduction Rate in Silicon
At low ion energies, the approximation of independent collisions between atoms starts to break down. The displacement damage threshold seems to be far less steep than the one used traditionally within the BCA approach. It has been shown in a previous paper that the Non Ionizing Energy Loss (NIEL) of...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on nuclear science 2011-06, Vol.58 (3), p.756-763 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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