Resistive Switching in [Formula Omitted] Probed by a Metal-Insulator-Semiconductor Bipolar Transistor

Resistive switching in thin [Formula Omitted] films is studied using a metal-insulator-semiconductor bipolar transistor structure. Using this structure, electron injection into the semiconductor valence band can be distinguished from injection into the conduction band. In addition, the p-n junction...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2012-01, Vol.33 (1), p.11
Hauptverfasser:	Yalon, E, Gavrilov, A, Cohen, S, Mistele, D, Meyler, B, Salzman, J, Ritter, D
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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