Amorphous-silicon thin-film transistors fabricated at 300 °C on a free-standing foil substrate of clear plastic

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2007-11, Vol.28 (11), p.1004-1006
Hauptverfasser:	CHERENACK, Kunigunde H, KATTAMIS, Alex Z, HEKMATSHOAR, Bahman, STURM, James C, WAGNER, Sigurd
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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