Mechanism of positive-bias temperature instability in sub-1-nm TaN/HfN/HfO2 gate stack with low preexisting traps

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2005-09, Vol.26 (9), p.610-612
Hauptverfasser:	SA, N, KANG, J. F, YANG, H, LIU, X. Y, HE, Y. D, HAN, R. Q, REN, C, YU, H. Y, CHAN, D. S. H, KWONG, D.-L
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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