Gate Length and Performance Scaling of Undoped-Body Extremely Thin SOI MOSFETs

In this letter, we show that undoped-body extremely thin SOI (ETSOI) MOSFETs with SOI thickness in the 4-6-nm range have excellent short-channel control down to 20-25-nm gate lengths, suitable for the 22-nm technology node and beyond. We demonstrate that 6-nm-thin ETSOI devices can deliver high driv...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2009-04, Vol.30 (4), p.413-415
Hauptverfasser:	Majumdar, A., Xinlin Wang, Kumar, A., Holt, J.R., Dobuzinsky, D., Venigalla, R., Ouyang, C., Koester, S.J., Haensch, W.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences CMOSFETs Devices Doping DSL Electronics Etching Exact sciences and technology FETs fully depleted SOI (FDSOI) Gates Immune system Logic Logic devices MOSFETs Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Space technology Stress Thickness control Transistors
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