On the threshold voltage of Strained-Si-Si1-xGex MOSFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2005-02, Vol.52 (2), p.263-268
Hauptverfasser:	WEIMIN ZHANG, FOSSUM, Jerry G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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