Metamorphic InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors on GaAs substrate: DC and microwave performances

High-performance InP/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As metamorphic heterojunction bipolar transistors (MHBTs) on GaAs substrate have been fabricated using In/sub x/Ga/sub 1-x/P strain relief buffer layer grown by solid-source molecular beam epitaxy (SSMBE). The MHBTs exhibited a dc current gain over 100, a...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2001-12, Vol.48 (12), p.2671-2676
Hauptverfasser:	Wang, Hong, Geok Ing Ng, Haiqun Zheng, Hong Yang, Yongzhong Xiong, Subratra Halder, Kaihua Yuan, Chee Leong Tan, Rahdakrishnan, K., Soon Fatt Yoon
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Devices Direct current Gallium arsenide Gallium arsenides Heterojunction bipolar transistors Indium gallium arsenides Indium phosphides Metamorphic
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