Stable gallium arsenide MIS capacitors and MIS field effect transistors by (NH4)2Sx treatment and hydrogenation using plasma deposited silicon nitride gate insulator

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2002-03, Vol.49 (3), p.343
Hauptverfasser:	Remashan, K, Bhat, K.N
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!