Stable gallium arsenide MIS capacitors and MIS field effect transistors by (NH4)2Sx treatment and hydrogenation using plasma deposited silicon nitride gate insulator
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | IEEE transactions on electron devices 2002-03, Vol.49 (3), p.343 |
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| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext |
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| Zusammenfassung: | |
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| ISSN: | 0018-9383 1557-9646 |
| DOI: | 10.1109/16.987102 |