Gate capacitances behavior of nanometer FD SOI CMOS devices with HfO2 high-k gate dielectric considering vertical and fringing displacement effects using 2-D simulation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2006-06, Vol.53 (6), p.1373-1378
Hauptverfasser:	LIN, Yu-Sheng, LIN, Chia-Hong, KUO, James B, SU, Ke-Wei
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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