Epitaxial AlBN/β‐Nb2N Ferroelectric/Superconductor Heterostructures

We report the growth of AlBN/β‐Nb2N nitride epitaxial heterostructures in which the AlBN is ferroelectric, and β‐Nb2N with metallic resistivity ≈40 μΩ cm$$ \text{&amp;amp;mu;&amp;amp;Omega;\hspace{0.17em}cm}$$ at 300 K becomes superconducting below TC ≈ 0.5 K. Using nitrogen...

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Veröffentlicht in:	Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters 2024-11, Vol.18 (11), p.n/a
Hauptverfasser:	Savant, Chandrashekhar, Nguyen, Thai‐Son, Vishwakarma, Saurabh, Lee, Joongwon, Ithepalli, Anand, Chen, Yu‐Hsin, Nomoto, Kazuki, Rana, Farhan, Smith, David J., Xing, Huili Grace, Jena, Debdeep
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	AlBN aluminum boron nitride Aluminum oxide Epitaxial growth ferroelectric Ferroelectric materials Ferroelectricity group‐III nitrides Heterojunctions Heterostructures Hexagonal lattice Lattice parameters Molecular beam epitaxy Nb2N niobium nitride Nitrides Nitrogen plasma semiconductors Substrates Superconductivity superconductor transition metal nitride ultrawide bandgap Wurtzite
Online-Zugang:	Volltext
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