Strain engineering in 2D FETs: Physics, status, and prospects

In this work, we explore the physics and evaluate the merits of strain engineering in two-dimensional van der Waals semiconductor-based FETs (field-effect-transistors) using DFT (density functional theory) to determine the modulation of the channel material properties under strain, and subsequently,...

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Veröffentlicht in:Journal of applied physics 2024-09, Vol.136 (9)
Hauptverfasser: Kumar, Ankit, Xu, Lin, Pal, Arnab, Agashiwala, Kunjesh, Parto, Kamyar, Cao, Wei, Banerjee, Kaustav
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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