Strain engineering in 2D FETs: Physics, status, and prospects
In this work, we explore the physics and evaluate the merits of strain engineering in two-dimensional van der Waals semiconductor-based FETs (field-effect-transistors) using DFT (density functional theory) to determine the modulation of the channel material properties under strain, and subsequently,...
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Veröffentlicht in: | Journal of applied physics 2024-09, Vol.136 (9) |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
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