Low-Temperature Processed Ni/GeSn Optimal Contacts for Junctionless GeSn-on-Si FinFETs

For junctionless FETs (JLFETs), an optimal ohmic contact is needed to achieve maximum drive current. The scaling of the source/drain (S/D) contact area impacts the contact resistivity ( \rho _{c} ) of FETs, which limits their on current and switching speed. Minimizing the S/D series resistance along...

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Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2024-09, Vol.71 (9), p.5182-5189
Hauptverfasser: Choudhary, Sumit, Schwarz, Daniel, Funk, Hannes S., Sharma, Satinder K., Schulze, Jorg
Format: Artikel
Sprache:eng
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