Low-Temperature Processed Ni/GeSn Optimal Contacts for Junctionless GeSn-on-Si FinFETs
For junctionless FETs (JLFETs), an optimal ohmic contact is needed to achieve maximum drive current. The scaling of the source/drain (S/D) contact area impacts the contact resistivity ( \rho _{c} ) of FETs, which limits their on current and switching speed. Minimizing the S/D series resistance along...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on electron devices 2024-09, Vol.71 (9), p.5182-5189 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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