A 15-W X-Band Inverse Class-F GaN Power Amplifier With Second-Harmonic Input Tuning

This letter presents an inverse class-F power amplifier (PA) where the second-harmonic voltage produced by the nonlinear gate-source capacitor ( C_\text{GS} ) of the gallium nitride (GaN) HEMT transistor improves the PAE and output power. The design is based on multiharmonic recursive source-pull (S...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE microwave and wireless technology letters (Print) 2023-09, Vol.33 (9), p.1-4
Hauptverfasser:	Ghanaatian, Ahmad, Abrishamifar, Adib, Rahmati, Abdolreza, Alizadeh, Amirreza
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Electric potential Frequency conversion Frequency measurement Gallium nitride Gallium nitride (GaN) PAs Gallium nitrides HEMTs high-efficiency PAs inverse class-F power amplifiers (PAs) PAs Power amplifiers Power generation Pulse repetition frequency Transistors Voltage X-band
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