Mathematical Modelling of the Electric Field in Anisotropic Semiconductors during Hall Measurements
In modern discrete functional semiconductor devices and structural elements of micro- and nanoelectronics, use is made of materials with anisotropy of electrical properties. In particular, such materials are crystalline thermoelectrics, layered graphite structures, and strained silicon. In the pract...
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Veröffentlicht in: | Technical physics 2023-10, Vol.68 (10), p.265-272 |
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Hauptverfasser: | , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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