Mathematical Modelling of the Electric Field in Anisotropic Semiconductors during Hall Measurements

In modern discrete functional semiconductor devices and structural elements of micro- and nanoelectronics, use is made of materials with anisotropy of electrical properties. In particular, such materials are crystalline thermoelectrics, layered graphite structures, and strained silicon. In the pract...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Technical physics 2023-10, Vol.68 (10), p.265-272
Hauptverfasser: Filippov, V. V., Zavorotniy, A. A.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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