Mathematical Evaluation of a-Si:H Film Formation in rf-PECVD Systems

Radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (rf-PECVD) is an efficient technique for preparing hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) layers used in thin film silicon solar cells. The most important parameters in a PECVD system are the chamber pressure, substrate temperature, partial...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	SILICON 2020-03, Vol.12 (3), p.723-734
Hauptverfasser:	Ganji, Jabbar, Kosarian, Abdolnabi, Kaabi, Hooman
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Amorphous silicon Chemistry Chemistry and Materials Science Energy gap Environmental Chemistry Flow charts Gas flow Inorganic Chemistry Lasers Materials Science Mathematical analysis Optical Devices Optics Original Paper Parameters Photonics Photovoltaic cells Plasma enhanced chemical vapor deposition Polymer Sciences Radio frequency plasma Solar cells Substrates Thin films
Online-Zugang:	Volltext
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