Surface Modification Assisted High-Speed and High-Accurate Manufacturing of Gallium Nitride (GaN)

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Japan Society for Precision Engineering 2023/05/05, Vol.89(5), pp.368-372
Hauptverfasser:	MIZUTANI, Masayoshi, TAKASU, Yoshifumi, SHIMADA, Keita, KURIYAGAWA, Tsunemoto
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Schlagworte:	CMP gallium nitride Gallium nitrides grinding hydroxyl radical oxidation semiconductor surface modification tape polishing ultraviolet wafer
Online-Zugang:	Volltext
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