Design of a 7.5 kW Dual Active Bridge Converter in 650 V GaN Technology for Charging Applications

High-voltage GaN switches offer low conduction and commutation losses compared with their Si counterparts, enabling the development of high-efficiency switching-mode DC–DC converters with increased switching frequency, faster dynamics, and more compact dimensions. Nonetheless, the potential of GaN s...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Electronics (Basel) 2023-03, Vol.12 (6), p.1280
Hauptverfasser: Alemanno, Alessio, Morici, Riccardo, Pretelli, Miguel, Florian, Corrado
Format: Artikel
Sprache:eng
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