Modulate the Interfacial Oxygen Vacancy for High Performance MoS2 Photosensing−Memory Device

Developing memristor with photosensing behavior would facilitate the construction of an advanced neuromorphic computing framework for future sensing−memory−computing integrated system. Although the memristor has already got much attention, its optoelectronic sensing mechanism is still unclear, thus...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced optical materials 2023-02, Vol.11 (3), p.n/a
Hauptverfasser: Peng, Zhenghan, Luo, Xiai, Liang, Kexin, Tan, Chao, Gao, Libin, Wang, Zegao
Format: Artikel
Sprache:eng
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