Effect of Large Uniaxial Stress on the Thermoelectric Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films

This study reports on the behaviour of the thermoelectric properties of n- and p-type hydrogenated microcrystalline silicon thin films (µc-Si: H) as a function of applied uniaxial stress up to ±1.7%. µc-Si: H thin films were deposited via plasma enhanced chemical vapour deposition and thermoelectric...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Electronics (Basel) 2022-12, Vol.11 (24), p.4085
Hauptverfasser: Acosta, Edwin, Smirnov, Vladimir, Szabo, Peter S. B., Pillajo, Christian, De la Cadena, Erick, Bennett, Nick S.
Format: Artikel
Sprache:eng
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