MOCVD growth of (010) β-(AlxGa1−x)2O3 thin films

In this work, we systematically investigate the effects of growth parameters on the structural and surface morphological properties of β-(Al x Ga 1− x ) 2 O 3 thin films grown on (010) β-Ga 2 O 3 substrates via metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). By varying [TMAl]/[TEGa + TMAl] molar flo...

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Veröffentlicht in:	Journal of materials research 2021-12, Vol.36 (23), p.4804-4815
Hauptverfasser:	Bhuiyan, A F M Anhar Uddin, Feng, Zixuan, Meng, Lingyu, Zhao, Hongping
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied and Technical Physics Biomaterials Chambers Chemistry and Materials Science Flow velocity Gallium oxides Inorganic Chemistry Invited Feature Paper Materials Engineering Materials research Materials Science Metalorganic chemical vapor deposition Morphology Nanotechnology Physical properties Roughening Substrates Thin films
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