Epitaxial Silicon Carbide on Silicon. Method of Coordinated Substitution of Atoms (A Review)
A review of advances in the growth of SiC epitaxial films on silicon is presented. All the main classical methods used at present to grow SiC films on silicon are described. Their advantages and disadvantages are analyzed. The main idea and theory of a new method of synthesizing epitaxial SiC films...
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Veröffentlicht in: | Russian journal of general chemistry 2022-04, Vol.92 (4), p.584-610 |
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Hauptverfasser: | , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
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