Piezoelectric aluminum nitride thin-films: A review of wet and dry etching techniques
Aluminum nitride (AlN) is a technologically relevant material that can be deposited at low temperatures in the form of thin-films while preserving most of its physical properties. Consequently, it is widely adopted in microelectromechanical systems (MEMS), especially in acoustic wave devices (RF fil...
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Veröffentlicht in: | Microelectronic engineering 2022-03, Vol.257, p.111753, Article 111753 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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