Microwear mechanism of monocrystalline germanium
Germanium (Ge), as a higher mobility material, presents great merits for future semiconductor field-effect transistor devices. Extremely smooth Ge surface is required for high-performance devices, which depends on mechanical surface planarization. However, the defects generated during surface manufa...
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Veröffentlicht in: | Wear 2022-04, Vol.494-495, p.204270, Article 204270 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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