Difference Between Atomic Layer Deposition TiAl and Physical Vapor Deposition TiAl in Threshold Voltage Tuning for Metal Gated NMOSFETs

In this work, the influence of TiAl gate electrode fabricated by atomic layer deposition (ALD) and physical vapor deposition (PVD) on threshold voltage ( \text{V}_{\text {t}} ) for metal-gated NMOSFETs is respectively investigated. Compared to ALD TiAl, the 200 mV lower \text{V}_{\text {t}} for PV...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2021-12, Vol.42 (12), p.1830-1833
Hauptverfasser:	Li, Zhao-Yang, Wang, Xue-Jiao, Cai, Han-Lun, Yan, Zhao-Zhang, Jiang, Yu-Long, Wan, Jing
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	ALD Atomic layer epitaxy effective work function Intermetallic compounds Logic gates Metals MOSFET MOSFETs Oxidation Physical vapor deposition PVD Thickness Threshold voltage TiAl Tin Titanium aluminides Tuning
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