Single-Crystal Islands (SCI) for Monolithic 3-D and Back-End-of-Line FinFET Circuits

A single-crystal islands (SCI) technique using low thermal budget pulse laser process is proposed and demonstrated to fabricate single-crystal silicon islands over amorphous dielectric for monolithic 3-D and back-end-of-line (BEOL) FinFET circuits. By laser recrystallizing mask-defined a-Si islands...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2021-10, Vol.68 (10), p.5257-5262
Hauptverfasser:	Liu, Yu-Wei, Hu, Han-Wen, Hsieh, Ping-Yi, Chung, Hao-Tung, Chang, Shu-Jui, Liu, Jui-Han, Huang, Po-Tsang, Yang, Chih-Chao, Shen, Chang-Hong, Shieh, Jia-Min, Chen, Kuan-Neng, Hu, Chenming
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Back-end-of-line (BEOL) FinFET circuits Circuits Etching FinFETs Grain boundaries High resolution electron microscopy Islands Microscopy monolithic 3-D Recrystallization Scanning electron microscopy Silicon Silicon nitride Single crystals single-crystal islands (SCI) Substrates Transistors
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