Epitaxial growth of rhombohedral β- and cubic γ-CuI

•Growth of CuI thin films using close distance sublimation technique.•XRD/TEM reveal γ-CuI (zincblende) and a 12R polytype with a twelve layers array.•Epitaxial growth has been achieved on various substrates.•PL measurements of pure γ-CuI samples reveal an intense bound exciton emission.•The 12R pol...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of crystal growth 2021-09, Vol.570, p.126218, Article 126218
Hauptverfasser:	Gottschalch, Volker, Benndorf, Gabriele, Selle, Susanne, Krüger, Evgeny, Blaurock, Steffen, Kneiß, Max, Bar, Michael, Sturm, Chris, Merker, Stefan, Höche, Thomas, Grundmann, Marius, Krautscheid, Harald
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	A3. Vapor phase epitaxy B1. Halides B2. Semiconducting materials Copper iodide Emission spectra Epitaxial growth Epitaxial layers Excitation spectra Lattice parameters Low temperature Multilayers Photoluminescence Sequences Sublimation Substrates Wurtzite Zincblende
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!