In-situ control of molecular beam epitaxial growth by spectral reflectivity analysis

•In-situ spectral reflectivity control of MBE of complex heterostructures.•Automation of thermal desorption of native oxide layers on GaAs substrates.•Demonstration of closed-loop growth control of terahertz quantum-cascade lasers.•Illustration of automated growth control of exciton polariton microc...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of crystal growth 2021-03, Vol.557, p.125993, Article 125993
Hauptverfasser:	Biermann, Klaus, Helgers, Paul L.J., Crespo-Poveda, Antonio, Kuznetsov, Alexander S., Tahraoui, Abbes, Röben, Benjamin, Lü, Xiang, Schrottke, Lutz, Santos, Paulo V., Grahn, Holger T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	A3. In-situ growth control A3. Molecular beam epitaxy B2. Semiconducting III-V materials B3. quantum-cascade lasers D3. Microcavities Epitaxial growth Heterostructures Microcavities Molecular beams Quantum cascade lasers Reflectance Substrates
Online-Zugang:	Volltext
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