Precision defect engineering of metal/insulator/metal diodes using atomic layer deposition to localize Ni impurities in Al2O3 tunnel barriers

Extrinsic impurity defect engineering is demonstrated to increase the maximum asymmetry of metal/insulator/metal (MIM) tunnel diodes. Using atomic layer deposition, transition metal Ni impurities are inserted at precise physical locations within the thickness of the insulating tunnel barrier in asym...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2021-04, Vol.129 (14)
Hauptverfasser:	Holden, Konner E. K., Qi, Yitong, Conley, John F.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Aluminum oxide Applied physics Asymmetry Atomic layer epitaxy Corundum Electrical measurement Electrodes Impurities MIM diodes Nickel Photoelectric emission Position measurement Refractivity Semiconductor devices Transition metals Tunnel diodes
Online-Zugang:	Volltext
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