Direct bandgap engineering with local biaxial strain in few-layer MoS2 bubbles
Strain engineering provides an important strategy to modulate the optical and electrical properties of semiconductors for improving devices performance with mechanical force or thermal expansion difference. Here, we present the investigation of the local strain distribution over few-layer MoS 2 bubb...
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Veröffentlicht in: | Nano research 2020-08, Vol.13 (8), p.2072-2078 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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