The Influence of Xenon and Argon Ion Irradiation Parameters on Defect Formation in Silicon

Single-crystal silicon has been irradiated with xenon ions at energies of 100 and 200 keV and argon ions at 110 keV. The irradiation fluence varied in the range of the displacement per atom (dpa) from 0.1 to 1 for both types of ions and selected energies. The influence of irradiation on the destruct...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Moscow University physics bulletin 2020-05, Vol.75 (3), p.218-224
Hauptverfasser:	Balakshin, Yu. V., Kozhemiako, A. V., Evseev, A. P., Minnebaev, D. K., Elsehly, Emad M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Argon Argon ions Backscattering Channeling Crystal defects Crystal structure Crystals Destruction Fluence Ion irradiation Mathematical and Computational Physics Physics Physics and Astronomy Raman spectra Silicon Single crystals Theoretical Xenon
Online-Zugang:	Volltext
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