Electrical and photoelectric properties of Yb/CIGS thin film Schottky photodiode
[Display omitted] •Yb rare earth metal was first used for Schottky metallization on CIGS.•The value of zero bias barrier height is remarkably high as 0.92 eV.•The value of Ilight/Idark at 25 mW/cm2 AM1.0 illumination is ≈103.•The series resistance is affected by the illumination significantly.•The c...
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Veröffentlicht in: | Sensors and actuators. A. Physical. 2020-08, Vol.311, p.112091, Article 112091 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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