THz Radiation of Photoconductive Antennas based on {LT-GaAa/GaAa:Si} Superlattice Structures

A material in the form of a multilayer structure based on low-temperature LT-GaAs grown on (111)A-oriented substrates is proposed for fabrication of THz photoconductive antennas. These structures contain active LT-GaAs layers and doping acceptor GaAs:Si-based layers. At the optical pump power of 19 ...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Optics and spectroscopy 2020-07, Vol.128 (7), p.1010-1017
Hauptverfasser:	Klochkov, A. N., Klimov, E. A., Solyankin, P. M., Konnikova, M. R., Vasil’evskii, I. S., Vinichenko, A. N., Shkurinov, A. P., Galiev, G. B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Antennas Dependence Electric potential Lasers Low temperature Multilayers Optical Devices Optics Photonics Physics Physics and Astronomy Pulse repetition frequency Silicon Substrates Superlattices Terahertz Optics Voltage
Online-Zugang:	Volltext
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