Simulation of the creation of a defect structure of dislocation-free germanium single crystals

•At high temperatures in germanium there is a barrier against the recombination of intrinsic point defects.•Decrease in the barrier is due to a decrease in the configuration entropy with decreasing temperature.•Vacancy and interstitial atoms of germanium find their drains on impurity atoms.•Formatio...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of crystal growth 2020-03, Vol.533, p.125472, Article 125472
Hauptverfasser: Talanin, V.I., Talanin, I.E., Matsko, O.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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