Simulation of the creation of a defect structure of dislocation-free germanium single crystals
•At high temperatures in germanium there is a barrier against the recombination of intrinsic point defects.•Decrease in the barrier is due to a decrease in the configuration entropy with decreasing temperature.•Vacancy and interstitial atoms of germanium find their drains on impurity atoms.•Formatio...
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Veröffentlicht in: | Journal of crystal growth 2020-03, Vol.533, p.125472, Article 125472 |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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