Ge incorporation in gallium oxide nanostructures grown by thermal treatment
Effective doping of semiconductor oxide nanostructures is needed to control n-type conductivity; however, out-diffusion of impurities in high quality crystals is still a bottleneck in nanotechnology. Here, germanium-doped gallium oxide (β-Ga 2 O 3 ) nanowires have been grown by a thermal evaporation...
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Veröffentlicht in: | Journal of materials science 2020-09, Vol.55 (25), p.11431-11438 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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