Ge incorporation in gallium oxide nanostructures grown by thermal treatment

Effective doping of semiconductor oxide nanostructures is needed to control n-type conductivity; however, out-diffusion of impurities in high quality crystals is still a bottleneck in nanotechnology. Here, germanium-doped gallium oxide (β-Ga 2 O 3 ) nanowires have been grown by a thermal evaporation...

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Veröffentlicht in:Journal of materials science 2020-09, Vol.55 (25), p.11431-11438
Hauptverfasser: Alonso-Orts, Manuel, Sánchez, Ana M., Nogales, Emilio, Méndez, Bianchi
Format: Artikel
Sprache:eng
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