Large area Silicon-energy filters for ion implantation
In this work we present the first time to our knowledge a large area Si-energy filter for ion implantation based on a 150 mm SOI Wafer Flow Process. The filter consists of a microstructured 125 mm diameter Si-membrane with 6.5 μm thickness supported by the remaining silicon wafer ring. These filters...
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Veröffentlicht in: | Microelectronic engineering 2020-02, Vol.222, p.111203, Article 111203 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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