The Influence of the Crystal Structure of the GaSb–InAs Matrix on the Formation of InSb Quantum Dots

Uniform arrays of the InSb quantum dots with a surface density of n QD = 2 × 10 9 cm –2 were obtained by liquid phase epitaxy on a matrix layer based on a multicomponent InGaAsSb solid solution lattice-matched with the GaSb substrate. The change in the composition of the cationic part of the matrix...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2019-12, Vol.53 (16), p.2103-2105
Hauptverfasser: Parkhomenko, Ya. A., Dement’ev, P. A., Moiseev, K. D.
Format: Artikel
Sprache:eng
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