A switchable dual‐mode fully‐differential common‐source low‐noise amplifier in 0.18‐μm CMOS technology

A highly‐integrated switchable dual‐mode low‐noise amplifier (LNA) is proposed and implemented in standard 0.18 μm complementary metal‐oxide‐semiconductor (CMOS) technology for ultra‐high frequency‐radio‐frequency identification (UHF RFID) reader receivers. This dual‐mode LNA can be controlled to op...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Microwave and optical technology letters 2020-03, Vol.62 (3), p.1163-1168
Hauptverfasser:	Zhang, Changchun, Wang, Yongkai, Gao, Shenjun, Tang, Lu, Zhang, Yi, Park, Sung Min
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Amplifiers CMOS Cross coupling dual‐mode high gain high linearity Impedance matching Input impedance Linearity LNA Noise levels Power gain Power supplies Radio frequency identification Topology UHF RFID Ultrahigh frequencies
Online-Zugang:	Volltext
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