Die Hochleistungsmikrowellenquelle Miro

Summary The high‐performance microwave source Miro – Plasma characterization and applications in PECVD and combination sputtering processes To evaluate the potential of the high‐efficiency microwave source Miro 200 CI the properties of plasma processes were investigated focusing at PECVD coatings of...

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Veröffentlicht in:Vakuum in Forschung und Praxis : Zeitschrift für Vakuumtechnologie, Oberflèachen und Dünne Schichten Oberflèachen und Dünne Schichten, 2019-12, Vol.31 (6), p.32-40
1. Verfasser: Nauenburg, Klaus‐Dieter
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:Summary The high‐performance microwave source Miro – Plasma characterization and applications in PECVD and combination sputtering processes To evaluate the potential of the high‐efficiency microwave source Miro 200 CI the properties of plasma processes were investigated focusing at PECVD coatings of a‐C:H‐ and SiOx as relevant applications. The sources were also intensively characterized by plasma diagnostic methods, e.g. by optical emission spectroscopy and electrical plasma probes. The analysis of the real efficiency of individual sources with slight changes in construction could be used to come to an optimized design. The Miro sources are able to create an extensive working volume showing relative homogeneous deposition rates of currently 35μm/h for a‐C:H and 25 μm/h for SiOx. An arrangement of multiple sources enables PECVD processes for large area coating at a pressure level close to those commonly used with PVD sources. So, post‐oxidation of sputtered layers with the Miro source could be used beneficially to obtain optical oxide layers with lower absorption. Combinations with HIPIMS sputter sources lead to efficient deposition processes of coatings for tribological applications. Zusammenfassung Um das Potential der Hochleistungsmikrowellenquelle Miro 200 CI zu evaluieren, wurden die Prozesseigenschaften anhand der PECVD‐Abscheidung von a‐C:H‐ und SiOx‐Schichten intensiv untersucht und mittels plasmadiagnostischer Methoden, wie Optischer Emissionsspektroskopie und elektrischer Plasmasonden charakterisiert. Die Ermittlung der Effizienz verschiedener Einzelquellen mit leichten, konstruktiv bedingten Unterschieden konnte für Verbesserungen genutzt werden. Die Quellen erzeugen ein ausgedehntes Arbeitsvolumen mit relativ homogenen Beschichtungsraten von derzeit 35 μm/h für a‐C:H und 25 μm/h für SiOx. Die Kombination mehrerer Quellen ermöglicht die Großflächen‐beschichtung mit PECVD‐Prozessen auf dem Druckniveau von PVD‐Quellen. Die Nachoxidation gesputterter Schichten mit Hilfe von Miro‐Quellen können daher sehr vorteilhaft für die Herstellung optischer Oxidschichten mit niedriger Absorption und für deren Kombination mit HIPIMS‐Sputterquellen oder anderen PVD‐Quellen für eine effektivere Abscheidung tribologische Schichten genutzt werden.
ISSN:0947-076X
1522-2454
DOI:10.1002/vipr.201900725